Giáo trình kỹ thuật mạch
261 trang
Bạn đang đọc: Giáo trình kỹ thuật mạch
| Chia sẻ : tlsuongmuoi
| Lượt xem: 2427
| Lượt tải: 18
Bạn đang xem nội dung tài liệu Giáo trình kỹ thuật mạch, để tải tài liệu về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
ện thế hồi tiếp đưa vào ngõ vào ). Các bước phân giải : Tìm Af, Rif, Rof theo những bước sau đây : 1. Nhận dạng loại hồi tiếp. Bước này để xác lập Xf và X0 là điện thế hay dòng điện. 2. Về mạch khuếch đại cơ bản không có hồi tiếp theo nguyên tắc phần trên. 3. Dùng nguồn tương tự Thevenin nếu Xf là điện thế và dùng nguồn Norton nếu Xf là dòng điện. 4. Thay thành phần ảnh hưởng tác động bằng mạch tương tự hài hòa và hợp lý ( thí dụ thông số kỹ thuật h khi ở tần số thấp hay thông số kỹ thuật lai ( cho tần số cao ). 6. Xác định A bằng định luật Kirchhoff cho mạch tương tự. 7. Từ A, β, tìm được F, Af, Rif, Rof, R’of. 8.8 MẠCH HỒI TIẾP ÐIỆN THẾ NỐI TIẾP : ( voltage – series feedback ) Hai thí dụ về mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau quen thuộc được khảo sát mẫu là mạch khuếch đại dùng FET với cực thoát chung ( source follower ) và mạch cực thu chung dùng BJT ( Emitter follower ). Trương Văn Tám VIII-20 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Một mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau 2 tầng dùng BJT được đưa vào ở mục 8.9. 8.8.1 Mạch source-follower : Mạch được cho ở hình 8.18 a. Ðiện trở tải là RL = R. Vì mạch vòng ngõ vào chứa thành phần R được nối với ngõ ra ( v0 ngang qua R ) nên đây là trường hợp của mạch trộn tiếp nối đuôi nhau. Tín hiệu hồi tiếp Xf là điện thế vf ngang qua R. Kiểu lấy mẫu tìm được bằng cách cho v0 = 0 và khi đó vf = 0 nên là kiểu lấy mẫu điện thế. Vì vậy đây là mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau. Hình 8.18 ( a ) Mạch Source follower ( b ) Khuếch đại cơ bản không hồi tiếp ( c ) Mạch tương tự tín hiệu nhỏ tần số thấp Ðể vẽ mạch khuếch đại cơ bản ta theo 2 bước : – Tìm mạch vòng ngõ vào bằng cách cho v0 = 0, khi đó vS được đưa thẳng giữa G và S. – Tìm mạch ngõ ra bằng cách cho Ii = 0 ( ngõ vào hở ). Khi đó R chỉ Open trong mạch vòng ngõ ra. Ta vẽ được mạch hình 8.18 b. Khi thay FET bằng mạch tương tự tín hiệu nhỏ ở tần số thấp ta được mạch hình 8.18 c Trương Văn Tám VIII-21 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Và Vì điện trở ngõ vào của FET rất lớn : Ri = ∞ nên Rif = Ri. F = ∞ Ðể xác lập điện trở ngõ ra, ta chú ý quan tâm R = RL 8.8.2 Mạch Emitter follower : Mạch được cho ở hình 8.19 a. Tín hiệu hồi tiếp là điện thế vf ngang qua RE và tín hiệu lấy mẫu là v0 ngang qua RE. Như vậy đây là trường hợp của mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau. Ðể vẽ mạch khuếch đại cơ bản không hồi tiếp ta tìm mạch ngõ vào bằng cách cho v0 = 0. Vậy vS tiếp nối đuôi nhau RS Open giữa B và E. Ðể tìm mạch ngõ ra ta cho Ii = 0 ( mạch vòng ngõ vào hở ) vậy RE chỉ Open ở mạch vòng ngõ ra. Ta vẽ được mạch hình 8.19 b. Thay BJT bằng mạch tương tự tín hiệu nhỏ ta được mạch hình 8.19 c. Trương Văn Tám VIII-22 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp ( b ) Mạch khuếch đại cơ bản không hồi tiếp ( c ) Mạch tương tự tín hiệu nhỏ tần số thấp Trong đó R0 → ∞ ( nhìn vào nguồn dòng điện ) Trương Văn Tám VIII-23 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp 8.9 CẶP HỒI TIẾP ÐIỆN THẾ NỐI TIẾP : Hình 8.20 miêu tả một mạch khuếch đại 2 tầng mắc tiếp nối đuôi nhau có độ lợi lần lượt là AV1, AV2. tín hiệu hồi tiếp được lấy từ ngõ ra của tầng thứ 2 qua mạng lưới hệ thống R1, R2 đưa ngược lại tín hiệu ngõ vào vS. Với cách nghiên cứu và phân tích tương tự như như đoạn trước, ta thuận tiện thấy rằng đây là trường hợp của mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau. Ðặc tính đa phần như đã thấy là tổng trở vào tăng, tổng trở ra giảm và độ lợi điện thế không thay đổi. Mạch vào của mạch cơ bản được tìm bằng cách cho v0 = 0, Vậy R2 hiện ra song song với R1. Ngõ ra được tìm bằng cách cho Ii = 0 ( I ’ = 0 ) Vậy ngõ ra R1 tiếp nối đuôi nhau với R2. Ðiện thế hồi tiếp vf ngang qua R1 tỉ lệ với điện thế được lấy mẫu v0 nên : Ta xem mạch đơn cử như hình 8.21 Trong đó : RS = 0, β = 50 Ta thử xác lập AVf, Rof, Rif Ðầu tiên ta tính độ lợi toàn mạch khi chưa có hồi tiếp AV = AV1. AV2 Trương Văn Tám VIII-24 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Dùng cách tính phân cực như những chương trước ta sẽ tìm được : re1 # 35 Ω re2 # 17 Ω βre1 = 1.75 k βre2 = 850 Ω Tải R’L 1 là : R’L 1 = 10 k / / 47 k / / 33 k / / 850 Ω ≠ 813 Ω Từ hình 8.20 b ta thấy rằng tải R’L 2 của Q2 là Rc2 / / ( R1 + R2 ) R’L 2 = 4.7 k / / 4.8 k = 2.37 k Cũng từ hình 8.20 b, ta thấy tổng trở cực phát của Q1 là RE với : RE = R1 / / R2 = 98 Ω Ðiện trở ngõ vào của mạch không hồi tiếp : Ri = βre1 + ( 1 + β ) RE = 1.75 k + ( 51 ) ( 0.098 k ) = 6.75 k Trương Văn Tám VIII-25 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Khi có hồi tiếp : Rif = Ri. F = 121.5 k Ðiện trở ngõ ra khi chưa có hồi tiếp : R ’ 0 = R’L 2 = 2.37 k Ðiện trở ngõ ra khi có hồi tiếp : 8.10 MẠCH HỒI TIẾP DÒNG ÐIỆN NỐI TIẾP Ta xem mạch có hồi tiếp ở hình 8.22. Từ những lý luận của mạch Emitter follower ta thấy rõ là tín hiệu hồi tiếp Xf = vf là điện thế ngang qua điện trở RE và là cách trộn tiếp nối đuôi nhau. Ðể thử loại lấy mẫu ta cho v0 = 0 ( RL = 0 ). Việc làm này không tạo cho điện thế vf ngang qua RE trở thành 0 v. Như vậy mạch này không lấy mẫu điện thế. Bây giờ nếu cho I0 = 0 ( RL = ∞ ) nghĩa là dòng cực thu bằng 0 nên vf ngang qua RE cũng bằng 0. Vậy mạch lấy mẫu dòng điện ngõ ra. Vậy là mạch hồi tiếp dòng điện tiếp nối đuôi nhau. Chú ý là mặc dầu dòng điện I0 tỉ lệ với v0 nhưng không hề Kết luận là mạch hồi tiếp điện thế tiếp nối đuôi nhau vì nếu điện thế lấy mẫu là v0 thì : và β ’ giờ đây là một hàm số của tải RL. Mạch ngõ vào của mạch khuếch đại không hồi tiếp tìm được bằng cách cho I0 bằng 0, RE Open ở mạch vào. Ðể tìm mạch ngõ ra ta cho Ii = 0 và RE cũng hiện hữu ở mạch ngõ ra. Mạch được vẽ lại như hình 8.22 b và mạch tương tự theo thông số kỹ thuật re như hình 8.22 c. Vì điện thế hồi tiếp tỉ lệ với I0 là dòng điện được lấy mẫu nên vf Open ngang qua RE trong mạch điện ngõ ra ( và không phải ngang qua RE trong mạch ngõ vào ). Trương Văn Tám VIII-26 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Nếu RE là một điện trở cố định và thắt chặt, độ lợi điện dẫn truyền của mạch hồi tiếp rất không thay đổi. Dòng qua tải được cho bởi : Dòng qua tải như vậy tỉ lệ trực tiếp với điện thế ngõ vào và dòng này chỉ tùy thuộc RE. Một ứng dụng là dùng mạch này làm mạch tinh chỉnh và điều khiển làm lệch chùm tia điện tử trong xê dịch nghiệm. Ðộ lợi điện thế cho bởi : 8.11 MẠCH KHUẾCH ÐẠI HỒI TIẾP DÒNG ÐIỆN SONG SONG : Hình 8.23 là một mạch dùng 2 transistor liên lạc trực tiếp dùng hồi tiếp từ cực phát của Q2 về cực nền của Q1 qua điện trở R ’. Từ những lý luận ở đoạn 8.7 ta thấy mạch trộn tuy nhiên Trương Văn Tám VIII-27 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp tuy nhiên được dùng và tín hiệu hồi tiếp Xf là dòng điện If chạy qua R ’ được nối từ nút vào đến mạch ngõ ra. nút vào song song với RS. Ðể xác lập loại lấy mẫu, ta cho v0 = 0 ( RC2 = 0 ), điều này không làm giảm I0 và không làm cho dòng qua RE của Q2 xuống 0 và dòng If không giảm xuống 0 vậy mạch này không phải lấy mẫu điện thế. Bây giờ nếu cho I0 = 0 ( RC = ∞ ), dòng If sẽ bằng 0 vậy mạch lấy mẫu dòng điện. Như vậy mạch hình 8.23 là một mạch hồi tiếp dòng điện song song. Bây giờ ta sẽ chứng tỏ rằng hồi tiếp âm. Ðiện thế vB2 rất lớn so với vi do Q1 khuếch đại. Cũng vậy, vB2 lệch sóng 1800 so với pha của vi. Vì tác động ảnh hưởng Emitter follower, vE2 biến hóa rất ít so với vB2 và 2 điện thế này cùng pha. Vậy vB2 có biên độ lớn hơn vi ( là vB1 ) và có pha lệch 1800 so với pha của vi. Nếu tín hiệu vào tăng làm cho IS tăng và If cũng tăng và Ii = IS – If sẽ nhỏ hơn trong trường hợp không có hồi tiếp. Tác động này là một đặc tính của mạch hồi tiếp âm. Mạch khuếch đại không có hồi tiếp : Mạch vào của mạch không hồi tiếp tìm được bằng cách cho I0 = 0. Vì dòng IB2 không đáng kể nên cực phát của Q2 xem như hở ( IE2 ≈ 0 ). Kết quả là R ’ mắc tiếp nối đuôi nhau với RE ở cực nền của Q1. Mạch ngõ ra tìm được bằng cách nối tắt nút ngõ vào ( cực nền của Q1 ). Vậy R ’ được xem như mắc song song vói RE tại cực phát của Q2. Vì tín hiệu hồi tiếp là dòng điện, mạch nguồn được vẽ lại bằng nguồn tương tự Norton với IS = vS / RS. Mạch tương tự sau cuối như sau : Trương Văn Tám VIII-28 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Tín hiệu hồi tiếp là dòng điện If chạy qua điện trở R ’ nằm trong mạch ngõ ra. Từ hình 8.24 ta có : Nếu RE, R ’, RC2, RS không thay đổi thì Avf không thay đổi ( độc lập với thông số kỹ thuật của BJT, nhiệt độ hay sự xê dịch của nguồn điện thế vS ). 8.12 MẠCH HỒI TIẾP ÐIỆN THẾ SONG SONG : Hình 8.25 a là một tầng cực phát chung với điện trở R ’ được nối từ ngõ ra trở về ngõ vào. Giống như mạch hình 8.23 ta thấy mạch trộn song song được dùng và Xf là dòng điện If chạy qua R ’. Trương Văn Tám VIII-29 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Nếu tất cả chúng ta cho v0 = 0, dùng hồi tiếp If sẽ giảm tới 0 chỉ rằng kiểu lấy mẫu điện thế được sử dụng. Vậy mạch này là mạch khuếch đại hồi tiếp điện thế song song. Như thế độ lợi truyền ( điện trở truyền ) Af = RMf được không thay đổi và cả hai điện trở ngõ vào và ngõ ra đều bị giảm. Mạch khuếch đại không hồi tiếp : Mạch vào được xác lập bằng cách nối tắt nút ra ( V0 = 0 ) như vậy R ’ nối từ cực B đến cực E của BJT. Mạch ngõ ra được xác lập bằng cách nối tắt nút vào ( vi = 0 ), như vậy R ’ nối từ cực thu đến cực phát. Kết quả là mạch tương tự không hồi tiếp được vẽ lại ở hình 8.25 b. Vì tín hiệu hồi tiếp là dòng điện, nguồn tín hiệu được trình diễn bằng nguồn tương tự Norton với IS = vS / RS. Tín hiệu hồi tiếp là dòng điện If chạy qua điện trở R ’ nằm trong mạch ngõ ra. Từ hình 8.25 b : Ðiều này chứng tỏ rằng If tỉ lệ với v0 và tín hiệu lấy mẫu là điện thế. Với mạch khuếch đại có hồi tiếp ta có : Chú ý rằng điện trở truyền bằng lượng âm của điện trở hồi tiếp từ ngõ ra về ngõ vào. Và nếu R ’ là một điện trở không thay đổi thì điện trở truyền sẽ không thay đổi. Ðộ lợi điện thế với mạch hồi tiếp : Trương Văn Tám VIII-30 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG VIII * * * * * * Bài 1 : a / Cho mạch điện như hình vẽ. Tìm điện thế xoay chiều vi ( theo vS và vf ). Giả sử mạch khuếch đại hòn đảo có điện trở vào vô hạn và Transistor có những thông số kỹ thuật β = 100 ; phân cực với IC = 1.3 mA Bài 2 : Một mạch khuếch đại cơ bản không hồi tiếp cho ngõ ra là 30 v với 10 % biến dạng họa tần bậc hai ( second-harmonic distortion ) khi ngõ vào ở 0.025 v. a / Nếu 1.5 % ngõ ra được hồi tiếp về ngõ vào bằng mạch khuếch đại hồi tiếp âm điện thế tiếp nối đuôi nhau thì điện thế ngõ ra như thế nào ? b / Nếu ngõ ra vẫn giữ ở 30 v, nhưng họa tần bậc 2 giảm còn 1 % thì điện thế ngõ vào là bao nhiêu ? Bài 3 : Một mạch khuếch đại có hồi tiếp như hình sau dùng 2 transistor có β = 100 ; phân cực với dòng IC = 1 mA. Các tụ điện xem như nối tắt ở tần số của tín hiệu. Trương Văn Tám VIII-31 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Bài 4 : Trong mạch khuếch đại hồi tiếp sau, transistor có những thông số kỹ thuật β = 100, phân cực với IC = 1.3 mA. Bỏ qua điều kiện kèm theo phân cực. Bài 5 : Transistor trong mạch có những thông số kỹ thuật β = 100 ; phân cực với IC = 1.3 mA. Tính : Trương Văn Tám VIII-32 Mạch Điện Tử Chương 8 : Mạch khuếch đại hồi tiếp Bài 6 : Transistor trong mạch có những thông số kỹ thuật β = 100, phân cực với IC = 1.3 mA. a / Với RE = 0. Xác định : RMf = V0 / IS ; AVf = V0 / VS, trong đó IS = VS / RS Rif, R ’ 0 f b / Lập lại bài toán với RE = 0.5 k Trương Văn Tám VIII-33 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Chương 9 MẠCH KHUẾCH ÐẠI CÔNG SUẤT ( Power Amplifier ) Mạch khuếch đại hiệu suất có trách nhiệm tạo ra một hiệu suất đủ lớn để kích thích tải. Công suất ra hoàn toàn có thể từ vài trăm mw đến vài trăm watt. Như vậy mạch hiệu suất thao tác với biên độ tín hiệu lớn ở ngõ vào : do đó ta không hề dùng mạch tương tự tín hiệu nhỏ để khảo sát như trong những chương trước mà thường dùng giải pháp đồ thị. Tùy theo chính sách thao tác của transistor, người ta thường phân mạch khuếch đại hiệu suất ra thành những loại chính như sau : – Khuếch đại hiệu suất loại A : Tín hiệu được khuếch đại gần như tuyến tính, nghĩa là tín hiệu ngõ ra đổi khác tuyến tính trong hàng loạt chu kỳ luân hồi 360 o của tín hiệu ngõ vào ( Transistor hoạt động giải trí cả hai bán kỳ của tín hiệu ngõ vào ). – Khuếch đại hiệu suất loại AB : Transistor được phân cực ở gần vùng ngưng. Tín hiệu ngõ ra biến hóa hơn một nữa chu kỳ luân hồi của tín hiệu vào ( Transistor hoạt động giải trí hơn một nữa chu kỳ luân hồi – dương hoặc âm – của tín hiệu ngõ vào ). – Khuếch đại hiệu suất loại B : Transistor được phân cực tại VBE = 0 ( vùng ngưng ). Chỉ một nữa chu kỳ luân hồi âm hoặc dương – của tín hiệu ngõ vào được khuếch đại. – Khuếch đại hiệu suất loại C : Transistor được phân cực trong vùng ngưng để chỉ một phần nhỏ hơn nữa chu kỳ luân hồi của tín hiệu ngõ vào được khuếch đại. Mạch này thường được dùng khuếch đại hiệu suất ở tần số cao với tải cộng hưởng và trong những ứng dụng đặc biệt quan trọng. Hình 9.1 miêu tả việc phân loại những mạch khuếch đại hiệu suất. Trương Văn Tám IX-1 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất 9.1 MẠCH KHUẾCH ÐẠI CÔNG SUẤT LOẠI A : Mạch phân cực cố định và thắt chặt như hình 9.2 là quy mô của một mạch khuếch đại hiệu suất loại A đơn thuần. Error ! Trương Văn Tám IX-2 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất. Khảo sát phân cực :. Khảo sát xoay chiều : Khi đưa tín hiệu vi vào ngõ vào ( hình 9.2 ), dòng IC và điện thế VCE ( tín hiệu ra ) sẽ đổi khác quanh điểm quản lý và điều hành Q. Với tín hiệu ngõ vào nhỏ ( hình 9.4 ), vì dòng điện cực nền biến hóa rất ít nên dòng điện IC và điện thế VCE ở ngõ ra cũng biến hóa ít quanh điểm điều hành quản lý. Khi tín hiệu ngõ vào lớn, ngõ ra sẽ đổi khác rất lớn quanh điểm tĩnh quản lý. Dòng IC sẽ biến hóa quanh số lượng giới hạn 0 mA và VCC / RC. Ðiện thế VCE đổi khác giữa hai số lượng giới hạn 0 v và nguồn VCC ( hình 9.5 ). Trương Văn Tám IX-3 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất. Khảo sát hiệu suất : – Công suất phân phối được định nghĩa : Pi ( dc ) = VCC. ICQ ( 9.1 ) – Công suất ngõ ra lấy trên tải, trong trường hợp này là RC, được định nghĩa : * Nếu tính theo điện thế đỉnh và dòng điện đỉnh : Trương Văn Tám IX-4 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất * Nếu tính theo điện thế và dòng điện đỉnh đối đỉnh :. Hiệu suất tối đa : Ta thấy trong mạch hiệu suất loại A, VCE hoàn toàn có thể đổi khác tối đa : VCE ( p-p ) max = VCC Dòng IC biến hóa tối đa : IC ( p-p ) max = VCC / RC Công suất ra tối đa : Trương Văn Tám IX-5 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất 9.2 MẠCH KHUẾCH ÐẠI CÔNG SUẤT LOẠI A DÙNG BIẾN THẾ : Mạch cơ bản có dạng như hình 9.6 Biến thế sẽ làm tăng hoặc giảm điện thế hay dòng điện ( tín hiệu xoay chiều ) tùy vào số vòng quấn của cuộn sơ cấp và thứ cấp. Ở đây ta xem biến thế như lý tưởng nghĩa là truyền 100 % hiệu suất. Nếu gọi N1, N2, v1, v2, I1, I2 lần lượt là số vòng quấn, điện thế tín hiệu xoay chiều, dòng điện tín hiệu xoay chiều của cuộn sơ cấp và thứ cấp. Ta có : Trương Văn Tám IX-6 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Như vậy hoàn toàn có thể xem như điện trở tải phản chiếu qua cuộn sơ cấp là :. Ðường thẳng lấy điện : Nếu ta xem biến thế lý tưởng, nghĩa là nội trở bằng 0 Ω. Như vậy không có điện thế một chiều giảm qua cuộn sơ cấp nên VCEQ = VCC.. Do đó đường thẳng lấy điện tĩnh là đường thẳng song song với trục tung IC và cắt trục hoành VCE tại điểm có trị số bằng VCC. Giao điểm của đường thẳng lấy điện tĩnh và đặc tuyến ra ở IB tương ứng là điểm quản lý và điều hành Q. Trương Văn Tám IX-7 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Ở chính sách xoay chiều, điện trở tải nhìn từ cuộn sơ cấp là R’L nên đường thẳng lấy điện động giờ đây Do đó : PL = I2L ( rms ). RL. Hiệu suất : Công suất cung ứng là : Trương Văn Tám IX-8 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Pi ( dc ) = VCC. ICQ Công suất tiêu tán trong biến thế và transistor hiệu suất là : PQ = Pi ( dc ) – Po ( ac ) Hiệu suất của mạch được định nghĩa : 9.3 KHẢO SÁT MẠCH KHUẾCH ÐẠI CÔNG SUẤT LOẠI B Trong mạch khuếch đại hiệu suất loại B, người ta phân cực với VB = 0V nên thông thường transistor không dẫn điện và chỉ dẫn điện khi có tín hiệu đủ lớn đưa vào. Do phân cực như thế nên transistor chỉ dẫn điện được ở một bán kỳ của tín hiệu ( bán kỳ dương hay âm tùy thuộc vào transistor NPN hay PNP ). Do đó muốn nhận được cả chu kỳ luân hồi của tín hiệu ở ngỏ ra người ta phải dùng 2 transistor, mỗi transistor dẫn điện ở một nữa chu kỳ luân hồi của tín hiệu. Mạch này gọi là mạch hiệu suất đẩy kéo ( push-pull ). B Công suất cung ứng : ( hiệu suất vào ) Ta có : Pi ( dc ) = VCC. IDC Trong đó IDC là dòng điện trung bình cung ứng cho mạch. Do dòng tải có đủ cả hai bán kỳ nên nếu gọi IP là dòng đỉnh qua tải ta có : Trương Văn Tám IX-9 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất. Công suất ra : Công suất ra lấy trên tải RL hoàn toàn có thể được tính :. Công suất tiêu tán trong transistor hiệu suất : Tiêu tán trong 2 transistor : Trương Văn Tám IX-10 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất P2Q = Pi ( dc ) – Po ( ac ) Vậy hiệu suất tiêu tán trong mỗi transistor hiệu suất : Công suất tiêu tán tối đa của 2 transistor hiệu suất không xảy ra khi hiệu suất ngõ vào tối đa hay hiệu suất ngõ ra tối đa. Công suất tiêu tán sẽ tối đa khi điện thế ở hai đầu tải là : Trương Văn Tám IX-11 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất 9.4 DẠNG MẠCH CÔNG SUẤT LOẠI B : Trong phần này ta khảo sát một số ít dạng mạch hiệu suất loại B thông dụng. Tín hiệu vào có dạng hình sin sẽ phân phối cho 2 tầng hiệu suất khác nhau. Nếu tín hiệu vào là hai tín hiệu sin ngược pha, 2 tầng hiệu suất giống hệt nhau được dùng, mỗi tầng hoạt động giải trí ở một bán kỳ của tín hiệu. Nếu tín hiệu vào chỉ có một tín hiệu sin, phải dùng 2 transistor hiệu suất khác loại : một NPN hoạt động giải trí ở bán kỳ dương và một PNP hoạt động giải trí ở bán kỳ âm. Ðể tạo được 2 tín hiệu ngược pha ở ngỏ vào ( nhưng cùng biên độ ), người ta hoàn toàn có thể dùng biến thế có điểm giữa ( biến thế hòn đảo pha ), hoặc dùng transistor mắc thành mạch khuếch đại có độ lợi điện thế bằng 1 hoặc dùng op-amp mắc theo kiểu voltage-follower như diễn đạt bằng những sơ đồ sau : 9.4.1 Mạch khuếch đại hiệu suất Push-pull liên lạc bằng biến thế : Dạng mạch cơ bản như sau : Trương Văn Tám IX-12 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất – Trong bán kỳ dương của tín hiệu, Q1 dẫn. Dòng i1 chạy qua biến thế ngõ ra tạo cảm ứng cấp cho tải. Lúc này pha của tín hiệu đưa vào Q2 là âm nên Q2 ngưng dẫn. – Ðến bán kỳ sau đó, tín hiệu đưa vào Q2 có pha dương nên Q2 dẫn. Dòng i2 qua biến thế ngõ ra tạo cảm ứng cung ứng cho tải. Trong lúc đó pha tín hiệu đưa vào Q1 là âm nên Q1 ngưng dẫn. Chú ý là i1 và i2 chạy ngược chiều nhau trong biến thế ngõ ra nên điện thế cảm ứng bên cuộn thứ cấp tạo ra bởi Q1 và Q2 cũng ngược pha nhau, chúng phối hợp với nhau tạo thành cả chu kỳ luân hồi của tín hiệu. Thực tế, tín hiệu ngõ ra lấy được trên tải không được toàn vẹn như trên mà bị biến dạng. Lý do là khi khởi đầu một bán kỳ, transistor không dẫn điện ngay mà phải chờ khi biên độ vượt qua điện thế ngưỡng VBE. Sự biến dạng này gọi là sự biến dạng xuyên tâm ( cross – over ). Ðể khắc phục, người ta phân cực VB dương một chút ít ( thí dụ ở transistor NPN ) để transistor hoàn toàn có thể dẫn điện tốt ngay khi có tín hiệu áp vào chân B. Cách phân cực này gọi là phân cực loại AB. Chú ý là trong cách phân cực này độ dẫn điện của transistor hiệu suất không đáng kể khi chưa có tín hiệu B Ngoài ra, do hoạt động giải trí với dòng IC lớn, transistor hiệu suất dễ bị nóng lên. Khi nhiệt độ tăng, điện thế ngưỡng VBE giảm ( transistor dễ dẫn điện hơn ) làm dòng IC càng lớn hơn, hiện tượng kỳ lạ này chồng chất dẫn đến hư hỏng transistor. Ðể khắc phục, ngoài việc phải giải nhiệt vừa đủ cho transistor, người ta mắc thêm một điện trở nhỏ ( thường là vài Ω ) ở hai chân E của transistor hiệu suất xuống mass. Khi transistor chạy mạnh, nhiệt độ tăng, IC tăng tức IE làm VE tăng dẫn đến VBE giảm. Kết quả là transistor dẫn yếu trở lại. Trương Văn Tám IX-13 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Ngoài ra, người ta thường mắc thêm một điện trở nhiệt có thông số nhiệt âm ( thermistor ) song song với R2 để giảm bớt điện thế phân cực VB bù trừ khi nhiệt độ tăng. 9.4.2 Mạch hiệu suất kiểu đối xứng – bổ túc : Mạch chỉ có một tín hiệu ở ngõ vào nên phải dùng hai transistor hiệu suất khác loại : một NPN và một PNP. Khi tín hiệu áp vào cực nền của hai transistor, bán kỳ dương làm cho transistor NPN dẫn điện, bán kỳ âm làm cho transistor PNP dẫn điện. Tín hiệu nhận được trên tải là cả chu kỳ luân hồi. Cũng giống như mạch dùng biến thế, mạch hiệu suất không dùng biến thế mắc như trên vấp phải sự biến dạng cross-over do phân cực chân B bằng 0 v. Ðể khắc phục, người ta cũng phân cực mồi cho những chân B một điện thế nhỏ ( dương so với transistor NPN và âm so với transistor PNP ). Ðể không thay đổi nhiệt, ở 2 chân E cũng được mắc thêm hai điện trở nhỏ. Trương Văn Tám IX-14 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Trong trong thực tiễn, để tăng hiệu suất của mạch, người ta thường dùng những cặp Darlington hay cặp Darlington_cặp hồi tiếp như được diễn đạt ở hình 9.18 và hình 9.19. Trương Văn Tám IX-15 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất 9.4.3 Khảo sát vài dạng mạch thực tiễn : Trong phần này, ta xem qua hai dạng mạch rất thông dụng trong thực tiễn : mạch dùng transistor và dùng op-amp làm tầng khuếch đại điện thế. 9.4.3. 1 Mạch hiệu suất với tầng khuếch đại điện thế là transistor : Mạch có dạng cơ bản như hình 9.20 Các đặc thù chính : – Q1 là transistor khuếch đại điện thế và cung ứng tín hiệu cho 2 transistor hiệu suất. – D1 và D2 ngoài việc không thay đổi điện thế phân cực cho 2 transistor hiệu suất ( giữ cho điện thế phân cực giữa 2 chân B không vượt quá 1.4 v ) còn có trách nhiệm làm đường liên lạc cấp tín hiệu cho Q2 ( D1 và D2 được phân cực thuận ). – Hai điện trở 3.9 ( để không thay đổi hoạt động giải trí của 2 transistor hiệu suất về phương diện nhiệt độ. – Tụ 47 μF tạo hồi tiếp dương cho Q2, mục tiêu nâng biên độ của tín hiệu ở tần số thấp ( thường được gọi là tụ Boostrap ). – Việc phân cực Q1 quyết định hành động chính sách thao tác của mạch hiệu suất. 9.4.3. 2 Mạch hiệu suất với tầng khuếch đại điện thế là op-amp Một mạch hiệu suất dạng AB với op-amp được diễn đạt như hình 9.21 : – Biến trở R2 : dùng chỉnh điện thế offset ngõ ra ( chỉnh sao cho ngõ ra bằng 0 v khi không có tín hiệu vào ). – D1 và D2 phân cực thuận nên : VB1 = 0.7 v VB2 = – 0.7 v Trương Văn Tám IX-16 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất – Ðiện thế VBE của 2 transistor hiệu suất thường được phong cách thiết kế khoảng chừng 0.6 v, nghĩa là độ giảm thế qua điện trở 10 Ω là 0.1 v. – Một cách gần đúng dòng qua D1 và D2 là : Như vậy ta thấy không có dòng điện phân cực chạy qua tải. – Dòng điện cung ứng tổng số : In = I1 + I + IC = 1.7 + 9.46 + 10 = 21.2 mA ( khi chưa có tín hiệu, dòng phân phối qua op-amp 741 là 1.7 mA – nhà phân phối cung ứng ). – Công suất phân phối khi chưa có tín hiệu : Pin ( standby ) = 2VCC. In ( standby ) = ( 12 v ). ( 21.2 ) = 254 mw – Ðộ khuếch đại điện thế của mạch : Trương Văn Tám IX-17 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất – Dòng điện qua tải : – Ðiện thế đỉnh qua tải : Vo ( p ) = 0.125. 8 = 1 v – Khi Q1 dẫn ( bán kỳ dương của tín hiệu ), điện thế đỉnh tại chân B của Q1 là : VB1 ( p ) = VE1 ( p ) + 0.7 v = 2.25 + 0.7 = 2.95 v – Ðiện thế tại ngõ ra của op-amp : V1 = VB1 – VD1 = 2.95 – 0.7 = 2.25 v – Tương tự khi Q2 dẫn : VB2 ( p ) = VE2 ( p ) – 0.7 v = – 2.25 – 0.7 = – 2.95 v – Ðiện thế tại ngõ ra op-amp : V1 = VB2 ( p ) + VD2 = – 2.95 + 0.7 = – 2.25 v – Khi Q1 ngưng ( Q2 dẫn ) VB1 = V1 + VD1 = – 2.25 + 0.7 = – 1.55 v – Tương tự khi Q1 dẫn ( Q2 ngưng ) Trương Văn Tám IX-18 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất VB2 = V1 – VD2 = 2.25 – 0.7 = 1.55 v – Dòng bảo hòa qua mỗi transistor : – Ðiện thế Vo tối đa : Vo ( p ) max = 333.3 * 8 = 2.67 v 9.4.3. 3 Mạch hiệu suất dùng MOSFET : Phần này trình làng một mạch dùng MOSFET hiệu suất với tầng đầu là một mạch khuếch đại vi sai. Cách tính phân cực, về nguyên tắc cũng giống như phần trên. Ta chú ý quan tâm 1 số ít điểm đặc biệt quan trọng : – Q1 và Q2 là mạch khuếch đại vi sai. R2 để tạo điện thế phân cực cho cực nền của Q1. R1, C1 dùng để số lượng giới hạn tần số cao cho mạch ( chống nhiễu ở tần số cao ). – Biến trở R5 tạo cân đối cho mạch khuếch đại visai. – R13, R14, C3 là mạch hồi tiếp âm, quyết định hành động độ lợi điện thế của toàn mạch. – R15, C2 mạch lọc hạ thông có công dụng giảm sóng dư trên nguồn cấp điện của tầng khuếch đại vi sai. – Q4 dùng như một tầng hòn đảo pha ráp theo mạch khuếch đại hạng A. – Q3 hoạt động giải trí như một mạch ổn áp để không thay đổi điện thế phân cực ở giữa hai cực cổng của cặp công suẩt. – D1 dùng để số lượng giới hạn biên độ vào cực cổng Q5. R16 và D1 tính năng như một mạch bảo vệ. – R17 và C8 tạo thành tải giả xoay chiều khi chưa mắc tải. Trương Văn Tám IX-19 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Hinh 9.23 Cong suat 30W dung MOSFET 9.5 IC CÔNG SUẤT : Trong mạch hiệu suất mà tầng đầu là op-amp, nếu ta phân cực bằng nguồn đơn thì mạch có dạng như sau : – R1, R2 dùng để phân cực cho ngõ vào có điện thế bằng VCC / 2. – Mạch hồi tiếp âm gồm R7, R8 và C3 với R8 < < R7. tụ C3 để tạo độ lợi điện thế một chiều bằng đơn vị chức năng. Như vậy khi chưa có tín hiệu vào, ở hai ngõ vào + và ngõ vào - cũng như ở ngõ ra của tầng op-amp đều có điện thế phân cực bằng VCC / 2, bằng với điện thế một chiều ở ngõ ra của mạch hiệu suất. Trương Văn Tám IX-20 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất - Tụ C2 ( tụ xuất ) để ngăn điện thế một chiều qua tải và bảo vệ điện thế phân cực ngõ ra bằng VCC / 2. - Ðộ lợi điện thế của toàn mạch : Av ≈ 1 + R7 / R8 Các IC hiệu suất thường được sản xuất bên trong có cấu trúc gần tựa như như mạch trên. Với những IC hiệu suất lớn, tầng cuối hoàn toàn có thể là những cặp darlington-cặp hồi tiếp. Ngoài ra để nâng cao chất lượng, người ta còn sản xuất thêm 1 số ít mạch có tính năng đặc biệt quan trọng như bảo vệ nối tắt ngõ ra, bổ chính tần số ... Thí dụ ta xem Ic hiệu suất LM1877 ( bên trong có 2 mạch hiệu suất với hiệu suất ra tối đa là 1 w / kênh ) có sơ đồ chân như sau : Trương Văn Tám IX-21 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại công suất Mạch sau đây cho thấy cách ráp thành mạch hiệu suất 1 watt với những linh phụ kiện bên ngoài khi dùng 1 kênh. Trong đó chú ý quan tâm 1 số ít đặc thù : - R2, C7, R3, C4 quyết định hành động độ khuếch đại của mạch ( mạch hồi tiếp âm ). - R4, C5 làm tải giả cho mạch và điều hòa tổng trở loa ở tần số cao. - Tụ C7 quyết định hành động cung ứng tần số cao. - R1 để phân cực ngõ vào. R1 không được quá nhỏ sẽ làm biên độ tín hiệu vào. - Ðộ khuếch đại của mạch ở tần số giữa Trương Văn Tám IX-22 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất Trong trường hợp ráp 2 kênh, mạch điện như hình sau : Trương Văn Tám IX-23 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG IX Bài 1 : Tính hiệu suất vào, hiệu suất ra và hiệu suất của mạch sau, biết rằng khi có tín hiệu ở ngõ vào dòng IB sẽ giao động với biên độ đỉnh là 10 mA. Bài 2 : Trong mạch khuếch đại hiệu suất sau đây : 1. Tính hiệu suất vào, hiệu suất ra và hiệu suất tiêu phí trong mỗi transistor. 2. Tính hiệu suất và hiệu suất của mạch khi tín hiệu vào có biên độ hiệu dụng là 12V ( rms ). Bài 3 : Một mạch hiệu suất loại A dùng biến thế với tỉ số vòng 4 : 1. Dùng nguồn cấp điện VCC = 36V để mạch cho hiệu suất 2 watt trên tải 16 Ω. Tính : a /. P. ( ac ) trên cuộn sơ cấp. b /. vL ( ac ). c /. v ( ac ) trên cuộn sơ cấp. d /. Trị hiệu dụng của dòng điện qua tải và trên cuộn sơ cấp. Bài 4 : Một mạch khuếch đại hiệu suất loại A như hình vẽ. Xác định : a /. Ðộ lợi điện thế gần đúng của mạch. b /. Công suất vào Pi ( dc ). c /. Công suất ra Po ( ac ). Trương Văn Tám IX-24 Mạch Điện Tử Chương 9 : Mạch khuếch đại hiệu suất d /. Hiệu suất của mạch. Cho biết dòng tiêu thụ của LM324 khi chưa có tín hiệu là 0.8 mA. Bài 5 : Trong mạch hiệu suất hình 9.23 cho biết VGS ( th ) của IRF532 biến hóa từ 2 v đến 4 v và VGS ( th ) của IRF9532 biến hóa từ - 2 v đến - 4 v. Một cách gần đúng, tính điện thế tối đa và tối thiểu giữa 2 cực cổng của cặp hiệu suất. Trương Văn Tám IX-25 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Chương 10 MẠCH DAO ÐỘNG ( Oscillators ) Ngoài những mạch khuếch đại điện thế và hiệu suất, giao động cũng là loại mạch cơ bản của ngành điện tử. Mạch giao động được sử dụng thông dụng trong những thiết bị viễn thông. Một cách đơn thuần, mạch xê dịch là mạch tạo ra tín hiệu. Tổng quát, người ta thường chia ra làm 2 loại mạch giao động : Dao động điều hòa ( harmonic oscillators ) tạo ra những sóng sin và xê dịch tích thoát ( thư giãn giải trí - relaxation oscillators ) thường tạo ra những tín hiệu không sin như răng cưa, tam giác, vuông ( sawtooth, triangular, square ). 10.1 MẠCH DAO ÐỘNG SIN TẦN SỐ THẤP : Ta xem lại mạch khuếch đại có hồi tiếp - Nếu pha của vf lệch 1800 so với vs ta có hồi tiếp âm. - Nếu pha của vf cùng pha với vs ( hay lệch 3600 ) ta có hồi tiếp dương. Ðộ lợi của mạch khi có hồi tiếp : Trương Văn Tám X-1 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Trường hợp đặc biệt quan trọng βAv = 1 được gọi là chuẩn cứ Barkausen ( Barkausen criteria ), lúc này Af trở nên vô hạn, nghĩa là khi không có tín hiệu nguồn vs mà vẫn có tín hiệu ra v0, tức mạch tự tạo ra tín hiệu và được gọi là mạch xê dịch. Tóm lại điều kiện kèm theo để có xê dịch là : βAv = 1 θA + θB = 0 ( 360 ) điều kiện kèm theo này chỉ thỏa ở một tần số nào đó, nghĩa là trong mạng lưới hệ thống hồi tiếp dương phải có mạch chọn tần số. B 0 0 Nếu βAv >> 1 ( đúng điều kiện kèm theo pha ) thì mạch xê dịch đạt không thay đổi nhanh nhưng dạng sóng méo nhiều ( thiên về vuông ) còn nếu βAv > 1 và gần bằng 1 thì mạch đạt đến độ không thay đổi chậm nhưng dạng sóng ra ít méo. Còn nếu βAv < 1 thì mạch không giao động được. 10.1.1 Dao động dịch pha ( phase shift oscillator ) : - Tạo sóng sin tần số thấp nhất là trong dải âm tần. - Còn gọi là mạch xê dịch RC. - Mạch hoàn toàn có thể dùng BJT, FET hoặc Op-amp. - Thường dùng mạch khuếch đại hòn đảo ( lệch sóng 1800 ) nên mạng lưới hệ thống hồi tiếp phải lệch sóng thêm 1800 để tạo hồi tiếp dương. a. Nguyên tắc : - Hệ thống hồi tiếp gồm ba mắc R-C, mỗi mắc có độ lệch pha tối đa 900 nên để độ lệch pha là 1800 phải dùng ba mắc R-C. - Mạch tương tự tổng quát của toàn mạch xê dịch dịch pha được miêu tả ở hình 10.2 Trương Văn Tám X-2 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Nếu Ri rất lớn và R0 nhỏ không đáng kể Ta có : v0 = v1 = Av. vi vi = v2 - Hệ thống hồi tiếp gồm 3 măc C-R, và được vẽ lại như hình 10.3. - Ðể phân giải mạch ta theo 4 bước : + Viết phương trình tính độ lợi điện thế β = v2 / v1 của mạng lưới hệ thống hồi tiếp. + Rút gọn thành dạng a + jb + Cho b = 0 để xác lập tần số xê dịch f0 + Thay f0 vào phương trình của bước 1 để xác lập giá trị của β tại f0. Từ đó : Trương Văn Tám X-3 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Và : Ðể mạch lệch sóng 1800 : Trương Văn Tám X-4 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Thay ω0 vào biểu thức của β ta tìm được : b. Mạch dịch pha dùng op-amp : - Do op-amp có tổng trở vào rất lớn và tổng trở ra không đáng kể nên mạch xê dịch này minh họa rất tốt cho chuẩn cứ Barkausen. Mạch cơ bản được vẽ ở hình 10.4 - Tần số giao động được xác lập bởi : Trương Văn Tám X-5 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch c. Mạch giao động dịch pha dùng FET : - Do FET có tổng trở vào rất lớn nên cũng thích hợp cho loại mạch này. - Tổng trở ra của mạch khuếch đại khi không có hồi tiếp : R0 = RD | | rD phải phong cách thiết kế sao cho R0 không đáng kể so với tổng trở vào của mạng lưới hệ thống hồi tiếp để tần số giao động vẫn thỏa mãn nhu cầu công thức : Nếu điều kiện kèm theo trên không thỏa mãn nhu cầu thì ngoài R và C, tần số xê dịch sẽ còn tùy thuộc vào R0 ( xem mạch dùng BJT ). - Ðộ lợi vòng hở của mạch : Av = - gm ( RD | | rD ) ≥ 29 nên phải chọn Fet có gm, rD lớn và phải phong cách thiết kế với RD tương đối lớn. d. Mạch dùng BJT : - Mạch khuếch đại là cực phát chung có hoặc không có tụ phân dòng cực phát. Trương Văn Tám X-6 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch - Ðiều kiện tổng trở vào của mạch không thỏa mãn nhu cầu nên điện trở R sau cuối của mạng lưới hệ thống hồi tiếp là : R = R ’ + ( R1 | | R2 | | Zb ) ( 10.8 ) Với Zb = βre nếu có CE và Zb = β ( re + RE ) nếu không có CE. - Tổng trở của mạch khi chưa có hồi tiếp R0 ≈ RC không nhỏ lắm nên làm tác động ảnh hưởng đến tần số giao động. Mạch phân giải được vẽ lại - Áp dụng cách phân giải như phần trước ta tìm được tần số xê dịch : - Thường người ta thêm một tầng khuếch đại đệm cực thu chung để tải không tác động ảnh hưởng đến mạch giao động. Trương Văn Tám X-7 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch 10.1.2 Mạch xê dịch cầu Wien : ( wien bridge oscillators ) - Cũng là một dạng giao động dịch pha. Mạch thường dùng op-amp ráp theo kiểu khuếch đại không hòn đảo nên mạng lưới hệ thống hồi tiếp phải có độ lệch pha 00. Mạch cơ bản như hình 10.8 a và mạng lưới hệ thống hồi tiếp như hình 10.8 b Tại tần số giao động ω0 : Trương Văn Tám X-8 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Trong mạch cơ bản hình 10.8 a, ta chú ý quan tâm : - Nếu độ lợi vòng hở Av < 3 mạch không xê dịch - Nếu độ lợi vòng hở Av >> 3 thì tín hiệu giao động nhận được bị biến dạng ( đỉnh dương và đỉnh âm của hình sin bị cắt ). – Cách tốt nhất là khi khởi động, mạch tạo Av > 3 ( để dễ xê dịch ) xong giảm dần xuống gần bằng 3 để hoàn toàn có thể giảm thiểu tối đa việc biến dạng. Người ta có nhiều cách, hình 10.9 là một ví dụ dùng diode hoạt động giải trí trong vùng phi tuyến để đổi khác độ lợi điện thế của mạch. – Khi biên độ của tín hiệu ra còn nhỏ, D1, D2 không dẫn điện và không ảnh hưởng tác động đến mạch. Ðộ lợi điện thế của mạch lúc này là : – Ðộ lợi này đủ để mạch xê dịch. Khi điện thế đỉnh của tín hiệu ngang qua R4 khoảng chừng 0.5 volt thì những diode sẽ mở màn dẫn điện. D1 dẫn khi ngõ ra dương và D2 dẫn khi ngõ ra âm. Khi dẫn mạnh nhất, điện thế ngang diode giao động 0.7 volt. Ðể ý là hai diode chỉ dẫn điện ở phần đỉnh của tín hiệu ra và nó hoạt động giải trí như một điện trở biến hóa tiếp nối đuôi nhau với R5 và song song với R4 làm giảm độ lợi của mạch, sao cho độ lợi lúc này xuống gần bằng 3 và có công dụng làm giảm thiểu sự biến dạng. Việc phân giải hoạt động giải trí của diode trong vùng phi tuyến tương đối phức tạp, trong thực tiễn người ta mắc thêm một điện trở R5 ( như hình vẽ ) để kiểm soát và điều chỉnh độ lợi của mạch sao cho độ biến dạng đạt được ở mức thấp nhất. Trương Văn Tám X-9 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch – Ngoài ra cũng nên chú ý là độ biến dạng sẽ càng nhỏ khi biên độ tín hiệu ở ngõ ra càng thấp. Thực tế, để lấy tín hiệu ra của mạch giao động người ta hoàn toàn có thể mắc thêm một mạch không hòn đảo song song với R1C1 như hình vẽ thay vì mắc tiếp nối đuôi nhau ở ngõ ra của mạch xê dịch. Do tổng trở vào lớn, mạch này gần như không ảnh hưởng tác động đến mạng lưới hệ thống hồi tiếp nhưng tín hiệu lấy ra có độ biến dạng được giảm thiểu đáng kể do ảnh hưởng tác động lọc của R1C1. – Một giải pháp khác để giảm biến dạng và tăng độ không thay đổi biên độ tín hiệu xê dịch, người ta sử dụng JFET trong mạch hồi tiếp âm như một điện trở đổi khác. Lúc này JFET được phân cực trong vùng điện trở ( ohmic region-vùng ID chưa bảo hòa ) và tác động ảnh hưởng như một điện trở biến hóa theo điện thế ( VVR-voltage variable resistor ). – Ta xem mạch hình 10.10 – D1, D2 được dùng như mạch chỉnh lưu một bán kỳ ( âm ) ; C3 là tụ lọc. Mạch này tạo điện thế âm phân cực cho JFET. – Khi cấp điện, mạch mở màn xê dịch, biên độ tín hiêu ra khi chưa đủ làm cho D1 và D2 dẫn điện thì VGS = 0 tức JFET dẫn mạnh nhất và rds nhỏ nhất và độ lợi điện thế của op-amp đạt giá trị tối đa. – Sự giao động liên tục, khi điện thế đỉnh ngõ ra âm đạt trị số xê dịch – ( Vz + 0.7 v ) thì D1 và D2 sẽ dẫn điện và VGS mở màn âm. Trương Văn Tám X-10 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động – Sự ngày càng tăng của tín hiệu điện thế đỉnh ngõ ra sẽ làm cho VGS càng âm tức rds tăng. Khi rds tăng, độ lợi Av của mạch giảm để sau cuối đạt được độ lợi vòng bằng đơn vị chức năng khi mạch hoạt động giải trí không thay đổi. – Thực tế, để mạch hoạt động giải trí ở điều kiện kèm theo tốt nhất, người ta dùng biến trở R4 để hoàn toàn có thể chỉnh đạt độ biến dạng thấp nhất. Vấn đề kiểm soát và điều chỉnh tần số : – Trong mạch xê dịch cầu Wien, tần số và thông số hồi tiếp được xác lập bằng công thức : – Như vậy để biến hóa tần số xê dịch, ta hoàn toàn có thể biến hóa một trong những thành phần trên. Tuy nhiên, chú ý là khi có thông số hồi tiếp β cùng đổi khác theo và độ lợi vòng cũng đổi khác, điều này hoàn toàn có thể làm cho mạch mất xê dịch hoặc tín hiệu xê dịch bị biến dạng. – Ðể khắc phục điều này, người ta thường biến hóa R1, R2 hoặc C1, C2 cùng lúc ( dùng biến trở đôi hoặc tụ xoay đôi ) để không làm biến hóa hệ sốβ. Hình 10.11 diễn đạt việc kiểm soát và điều chỉnh này. – Tuy nhiên, hai biến trở rất khó như nhau và biến hóa giống hệt nhau nên β khó giữ vững. Một cách khác để kiểm soát và điều chỉnh tần số giao động là dùng kỹ thuật hồi tiếp âm và chỉ đổi khác một thành phần mạch và không làm đổi khác độ lợi vòng dù β và Av đều đổi khác. Mạch điện như hình 10.12 – Tần số xê dịch của mạch vẫn được xác lập bởi : Trương Văn Tám X-11 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Vậy khi R1 tăng thì f0 giảm, β tăng. trái lại khi R1 giảm thì f0 tăng và β giảm. Mạch A2 đưa vào trong mạng lưới hệ thống hồi tiếp dùng để giữ vững độ lợi vòng luôn bằng đơn vị chức năng khi ta kiểm soát và điều chỉnh tần số ( tức biến hóa R1 ). Thật vậy, ta thử tính độ lợi vòng hở Av của mạch Toàn bộ mạch xê dịch cầu Wien có kiểm soát và điều chỉnh tần số và biên độ dùng tìm hiểu thêm được vẽ ở hình 10.14 Trương Văn Tám X-12 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch 10.2 MẠCH DAO ÐỘNG SIN TẦN SỐ CAO : Dao động dịch pha không dùng được ở tần số cao do lúc đó tụ điện phải có điện dung rất nhỏ. Ðể tạo sóng tần số cao người ta thường đưa vào mạng lưới hệ thống hồi tiếp những mạch cộng hưởng LC ( song song hoặc tiếp nối đuôi nhau ). 10.2.1 Mạch cộng hưởng ( resonant circuit ) : a. Cộng hưởng tiếp nối đuôi nhau ( series resonant circuit ) : – Gồm có một tụ điện và một cuộn cảm mắc tiếp nối đuôi nhau. – Cảm kháng của cuộn dây là jXL = 2 πfL – Thực tế, cuộn cảm L luôn có nội trở R nên tổng trở thực của mạch là : Z = R + jXL – jXC. – Tại tần số cộng hưởng f0 thì XL = XC nên Z0 = R – Vậy tại tần số cộng hưởng tổng trở của mạch có trị số cực tiểu. – Khi tần số f < f0 tổng trở có tính dung kháng. - Khi tần số f > f0 tổng trở có tính cảm kháng. Trương Văn Tám X-13 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch b. Cộng hưởng song song ( parallel resonant ci rcuit ) Tổng trở của mạch : Trương Văn Tám X-14 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch 10.2.2 Tổng quát về xê dịch LC : – Dạng tổng quát như hình 10.17 a và mạch hồi tiếp như hình 10.17 b – Giả sử Ri rất lớn so với Z2 ( thường được thỏa vì Z2 rất nhỏ ) Ðể tính thông số hồi tiếp ta dùng hình 10.17 b Ðể xác lập Av ( độ lợi của mạch khuếch đại cơ bản ta dùng mạch 10.17 c Trương Văn Tám X-15 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Trương Văn Tám X-16 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch 10.2.3 Mạch xê dịch Colpitts : Ta xem mạch dùng JFET So sánh với mạch tổng quát : Z1 = C1 ; Z2 = C2 ; Z3 = L1 ; C3 : tụ liên lạc ngỏ vào làm cách ly điện thế phân cực. L2 : cuộn chận cao tần ( Radio-frequency choke ) có nội trở không đáng kể nhưng có cảm kháng rất lớn ở tần số xê dịch, dùng cách ly tín hiệu xê dịch với nguồn cấp điện. Tại tần số cộng hưởng : Z1 + Z2 + Z3 = 0 Trương Văn Tám X-17 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Kết quả trên cho thấy mạch khuếch đại phải là mạch hòn đảo và độ lợi vòng hở phải có trị tuyệt đối lớn hơn C2 / C1. Av ( oc ) là độ lợi không tải : Av ( oc ) = – gm ( rd / / XL2 ) Do XL2 rất lớn tại tần số cộng hưởng, nên : Av ( oc ) ≈ – gmrd Một mạch dùng BJT 10.2.4 Dao động Clapp ( clapp oscillator ) : Dao động clapp thật ra là một dạng đổi khác của mạch giao động colpitts. Cuộn cảm trong mạch xê dịch colpitts đổi thành mạch LC tiếp nối đuôi nhau. Tại tần số cộng hưởng, tổng trở của mạch này có tính cảm kháng. Trương Văn Tám X-18 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Tại tần số cộng hưởng : Z1 + Z2 + Z3 = 0 Ðể ý là do mạch L1C3 phải có tính cảm kháng ở tần số giao động nên C3 phải có trị số nhỏ, thường là nhỏ nhất trong C1, C2, C3 và f0 gần như chỉ tùy thuộc vào L1C3 mắc tiếp nối đuôi nhau. Người ta cũng hoàn toàn có thể dùng mạch clapp nâng cấp cải tiến như hình 10.21 Tần số giao động cũng được tính bằng công thức trên nhưng chú ý quan tâm do dùng mạch cực thu chung ( Av, 1 ) nên thông số β phải có trị tuyệt đối lớn hơn 1. 10.2.5 Dao động Hartley ( hartley oscillators ) Cũng giống như xê dịch colpitts nhưng vị trí của cuộn dây và tụ hoán đổi nhau. Z1 = L1 ; Z2 = L2 ; Z3 = C1 Trương Văn Tám X-19 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Hai cuộn cảm L1 và L2 mắc tiếp nối đuôi nhau nên điện cảm của toàn mạch là L = L1 + L2 + 2M với M là hổ cảm. Từ điều kiện kèm theo : Z1 + Z2 + Z3 = 0 tại tần số cộng hưởng với Z1 + Z2 = Zl = jω0L Ta cũng hoàn toàn có thể dùng mạch cực thu chung như hình 10.23 Trương Văn Tám X-20 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động 10.3 DAO ÐỘNG THẠCH ANH ( crystal oscillators ) 10.3.1 Thạch anh Tinh thể thạch anh ( quaRtz crytal ) là loại đá trong mờ trong vạn vật thiên nhiên, chính là dioxyt silicium ( SiO2 ). Tinh thể thạch anh dùng trong mạch xê dịch là một lát mỏng mảnh được cắt ra từ tinh thể. Tùy theo mặt phẳng cắt mà lát thạch anh có đặc tính khác nhau. Lát thạch anh có diện tích quy hoạnh từ nhỏ hơn 1 cm2 đến vài cm2 được mài rất mỏng mảnh, phẳng ( vài mm ) và 2 mặt thật song song với nhau. Hai mặt này được mạ sắt kẽm kim loại và nối chân ra ngoài để dễ sử dụng. Ðặc tính của tinh thể thạch anh là tính áp điện ( piezoelectric effect ) theo đó khi ta áp một lực vào 2 mặt của lát thạch anh ( nén hoặc kéo dãn ) thì sẽ Open một điện thế xoay chiều giữa 2 mặt. trái lại dưới công dụng của một điện thế xoay chiều, lát thạch anh sẽ rung ở một tần số không đổi và như vậy tạo ra một điện thế xoay chiều có tần số không đổi. Tần số rung động của lát thạch anh tùy thuộc vào size của nó đặc biệt quan trọng là độ dày mặt phẳng cắt. Khi nhiệt độ biến hóa, tần số rung động của thạch anh cũng biến hóa theo nhưng vẫn có độ không thay đổi tốt hơn rất nhiều so với những mạch giao động không dùng thạch anh ( tần số giao động gần như chỉ tùy thuộc vào thạch anh mà không chịu ràng buộc mạch ngoài ). Mạch tương tự của thạch anh như hình 10.25 Tinh thể thạch anh cộng hưởng ở hai tần số khác nhau : Trương Văn Tám X-21 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Ta hoàn toàn có thể dùng thạch anh để sửa chữa thay thế mạch tiếp nối đuôi nhau LC, mạch sẽ xê dịch ở tần số fS. Còn nếu thay thế sửa chữa mạch song song LC, mạch sẽ xê dịch ở tần số fp ( hoặc fop ). Do thạch anh có điện cảm LS lớn, điện dung tiếp nối đuôi nhau rất nhỏ nên thạch anh sẽ quyết định hành động tần số xê dịch của mạch ; linh phụ kiện bên ngoài không làm đổi khác nhiều tần số giao động ( dưới 1/1000 ). Thường người ta sản xuất những thạch anh có tần số xê dịch từ 100 khz trở lên, tần số càng thấp càng khó sản xuất. Trương Văn Tám X-22 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động 10.3.2 Dao động thạch anh : Dao động dùng thạch anh như mạch cộng hưởng tiếp nối đuôi nhau còn gọi là mạch xê dịch Pierce ( Pierce crystal oscillator ). Dạng tổng quát như sau : Ta thấy dạng mạch giống như mạch giao động clapp nhưng thay cuộn dây và tụ điện tiếp nối đuôi nhau bằng thạch anh. Dao động Pierce là loại giao động thông dụng nhất của thạch anh. Hình 10.29 là loại mạch giao động Pierce dùng rất ít linh phụ kiện. Thạch anh nằm trên đường hồi tiếp từ cực thoát về cực cổng. Trong đó C1 = CdS ; C2 = CgS tụ liên cực của FET. Do C1 và C2 rất nhỏ nên tần số xê dịch của mạch : và thạch anh được dùng như mạch cộng hưởng song song. Trương Văn Tám X-23 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Thực tế người ta mắc thêm một tụ tinh chỉnh và điều khiển CM ( Trimmer ) như hình 10.29 và có tác động ảnh hưởng giảm biến dạng của tín hiệu giao động. Ta hoàn toàn có thể dùng mạch hình 10.30 với C1 và C2 mắc bên ngoài. Trường hợp này ta thấy thạch anh được dùng như một mạch cộng hưởng tiếp nối đuôi nhau 10.4 DAO ÐỘNG KHÔNG SIN 10.4.1 Dao động tích thoát dùng OP-AMP ( op-amp relaxation oscillator ) Ðây là mạch tạo ra sóng vuông còn gọi là mạch giao động đa hài phi ổn ( astable mutivibrator ). Hình 10.31 diễn đạt dạng mạch cơ bản dùng op-amp Ta thấy dạng mạch giống như mạch so sánh hòn đảo có hồi tiếp dương với điện thế so sánh vi được thay bằng tụ C. Trương Văn Tám X-24 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Ðiện thế thềm trên VUTP = β. ( + VSAT ) > 0 Ðiện thế thềm dưới VLTP = β. ( – VSAT ) < 0 Giả sử khi mở điện v0 = + VSAT, tụ C nạp điện, điện thế hai đầu tụ tăng dần, khi VC ( điện thế ngõ vào - ) lớn hơn vf = VUTP ( điện thế ngõ vào + ) ngõ ra đổi trạng thái thành - VSAT và vf giờ đây là : vf = VLTP = β. ( - VSAT ). Tụ C mở màn phóng điện qua R1, khi VC = 0 tụ C nạp điện thế âm đến trị số VLTP thì mạch lại đổi trạng thái ( v0 thành + VSAT ). Hiện tượng trên cứ liên tục tạo ra ở ngõ ra một dạng sóng vuông với đỉnh dương là + VSAT và đỉnh âm là - VSAT. Thời gian nạp điện và phóng điện của tụ C là chu kỳ luân hồi của mạch giao động. Do tụ C nạp điện và phóng điện đều qua điện trở R1 nên thời hạn nạp điện bằng thời hạn phóng điện. Khi C nạp điện, điện thê 2 đầu tụ là : Trương Văn Tám X-25 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Thực tế | + VSAT | hoàn toàn có thể khác | - VSAT | nên để được sóng vuông đối xứng, hoàn toàn có thể sử dụng mạch như hình 10.33 Trong những mạch hình trên ở ngõ ra ta được sóng vuông đều ( t1 = t2 ). Muốn t1 ≠ t2 ta hoàn toàn có thể thế R2 bằng mạch Trương Văn Tám X-26 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động 10.4.2 Tạo sóng vuông, tam giác và răng cưa với mạch xê dịch đa hài : Dạng tín hiệu ra của mạch giao động tích thoát hoàn toàn có thể đổi khác nếu ta đổi khác những thành phần của mạng lưới hệ thống hồi tiếp âm. a. Tạo sóng tam giác : Một cầu chỉnh lưu và JFET được đưa vào mạng lưới hệ thống hồi tiếp âm như hình 10.35. Ðể ý là điện thế tại cực thoát D của JFET luôn dương hơn cực nguồn S ( mặc kệ trạng thái của ngỏ ra V0 ). JFET như vậy hoạt động giải trí như một nguồn dòng điện và trị số của nguồn này tùy thuộc JFET và R1 khi VDS lớn hơn 3 v. Thí dụ với JFET 2N4221, ta có : - Giả sử v0 = + VSAT thì D1, D2 dẫn. Dòng điện qua D1, JFET, D2 nạp vào tụ C từ trị số - Khi vC = VUTP, v0 đổi trạng thái thành - VSAT ; D3, D4 dẫn, tụ C phóng điện cho đến hết và nạp điện thế âm đến VLTP trong thời hạn tn. Sau đó hiện tượng kỳ lạ lại liên tục. Trương Văn Tám X-27 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động Nếu 4 diode giống hệt thì ta có thời hạn nạp điện bằng thời hạn phóng điện, tức tp = tn, và chu kỳ luân hồi xê dịch T = tp + t = = 2 tp Như vậy ở ngõ ra ta có sóng vuông và ở ngõ vào trừ ta có sóng tam giác. b. Thay đổi độ dốc của sóng tam giác Ðể biến hóa độ dốc của sóng tam giác ta phải biến hóa tp và tn ( nếu tp ≠ tn ta có sóng tam giác không đều ). Muốn vậy ta tạo dòng nạp và dòng phóng khác nhau. Gọi dòng phóng là In và dòng nạp là Ip, ta có : Mạch minh họa như hình 10.37 c. Tạo sóng răng cưa : Ðể tạo sóng răng cưa ta tìm cách giảm thật nhỏ thời hạn phóng điện. Có thể dùng mạch như hình 10.38 Trương Văn Tám X-28 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch - Thời gian C phóng điện qua Dn rất nhỏ ( vài chục micro giây ). - Chu kỳ xê dịch T = tp + tn ≠ tp 10.4.3 Tạo sóng tam giác từ mạch so sánh và tích phân : Ta xem mạch tích phân sau đây : Giả sử ở thời gian t = 0, SW ở vị trí 1 ( Ei = 15 v ) dòng điện qua R là :. Dòng điện này sẽ nạp vào tụ C để tạo ra v0 ( giảm dần ) Trương Văn Tám X-29 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Giả sử khi v0 = VLTP ta chuyển SW sang vị trí 2, tụ C sẽ phóng điện và nạp theo chiều ngược lại để tạo ra v0 ( dương dần ). Khi v0 = VUTP ta chuyển SW sang vị trí 1. Mạch liên tục hoạt động giải trí như trước. Ðể tự động hóa bộ giao hoán và tạo dòng hằng cho tụ điện của mạch tích phân, người ta hoàn toàn có thể dùng một mạch so sánh và mạch tích phân ghép với nhau ; xong lấy ngõ ra của mạch tích phân làm điện thế điều khiển và tinh chỉnh cho mạch so sánh. Toàn bộ mạch có dạng như hình 10.41 Ðể phân giải mạch ta chú ý quan tâm là khi ngõ ra của mạch so sánh bảo hòa dương ( + VSAT ) thì v0 = VZ + 0.7 v = V0 > 0. Còn khi bảo hòa âm v0 = – ( VZ + 0.7 v ) = – V0 < 0. Trương Văn Tám X-30 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Ðiện thế đỉnh - đỉnh của tam giác : Chú ý là nếu VR = 0 thì Vmax = - Vmin Xác định tần sô : + Khi VS ≠ 0 Khi v0 = - V0 ( đường tiến ) thì ta có : Trương Văn Tám X-31 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch giao động 10.4.4 Tạo sóng tam giác đơn cực : Ta xem lại mạch tạo sóng tam giác khi VR = 0 Và khi VS = 0 → tp = tn Ðể tạo sóng tam giác đơn cực ( giả sử dương ) ta mắc thêm một diode tiếp nối đuôi nhau với R1 như hình 10.43 a Khi v0 = - V0 : diode D dẫn Khi v0 = + V0 : diode D ngưng Trương Văn Tám X-32 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Muốn tạo sóng tam giác đơn cực âm ta chỉ cần đổi chiều của diode D. Tần số xê dịch không đổi khác. 10.4.5 Tạo sóng răng cưa : Như phần trước, để tạo sóng răng cưa, ta giảm nhỏ T2. Muốn vậy, ta tạo điều kiện kèm theo cho tụ C của mạch tích phân phóng điện nhanh. Ta hoàn toàn có thể dùng mạch như hình 10.44. Do Ei âm, khi mở điện tụ C nạp tạo v ( t ) dương ( tích phân hòn đảo ) tăng dần từ 0 v. Lúc này do Vref > 0 và lớn hơn v ( t ) nên v0 ở trạng thái – VSAT ( diode D và transistor Q ngưng không tác động ảnh hưởng đến mạch tích phân. Tín hiệu răng cưa tăng dần, khi Vc = Vref mạch so sánh đổi trạng thái và v0 thành + VSAT làm cho D và Q. dẫn bảo hòa. Tụ C phóng nhanh qua Q. kéo v ( t ) xuống 0 v. Mạch so sánh lại đổi trạng thái … Trương Văn Tám X-33 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Trương Văn Tám X-34 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch BÀI TẬP CUỐI CHƯƠNG X Bài 1 : Cho mạch giao động dịch pha RC như sau : 1. Chứng minh rằng tần số dao dộng cho bởi 2. Tìm giá trị của R ’ Bài 2 : Cho mạch điện : Trương Văn Tám X-35 Mạch Điện Tử Chương 10 : Mạch xê dịch Bài 3 : Cho mạch điện : D1, D2 cấu trúc bằng Si có điện thế Zener lần lượt là VZ1 và VZ2 1. Chứng minh rằng độ rộng của xung dương của v0 cho bởi : 2. Chứng minh rằng độ rộng của xung âm của v0 cho bởi : 3. Nếu VZ1 > VZ2 thì T1 lớn hơn hay nhỏ hơn T2. Giải thích. 4. Tìm tần số f của mạch giao động khi VZ1 = VZ2 = VZ Bài 4 : Trong mạch điện bài 3 thay R bởi mạch sau : 1. Giải thích hoạt động giải trí của mạch ( JFET hoạt động giải trí ở vùng ID bảo hòa ). 2. Nếu dùng JFET 2N4869 có đặc thù khi ID bảo hòa : VGS = – 1V, ID = 3 mA VGS = – 2V, ID = 1 mA Trong điều kiện kèm theo khi op-amp bảo hòa | v0 | = 20 v ; R1 = R2. Ðể dòng nạp của tụ là 3 mA, dòng phóng là 1 mA và cho chu kỳ luân hồi T = 1 ms thì RS1, RS2, C phải bằng bao nhiêu. Trương Văn Tám X-36 Mạch Điện Tử
Các file đính kèm theo tài liệu này :
- Giáo trình kỹ thuật mạch.pdf
Source: https://baoduongdieuhoa24h.com
Category: Điện Tử
